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德州招聘网:上海微系统地址三维存储器设计规模取得重要希望

日期:2020-03-14 浏览:

克日,中国科学院上海微系统与信息技能研究所相变存储器课题组在三维存储器设计规模取得重要希望,相关成就以"A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM"为题,颁发在国际集成电路重要期刊(前六位)IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs [vol. PP, no. 99, 2017]上。这是世界上首篇关于三维相变存储器读出电路设计的文章,

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,也是SCI刊物三维相变存储器电路设计颁发的首篇文章。

相变存储器操作电脉冲诱导存储质料在非晶态与晶态之间切换,具有非挥发性、轮回寿命长、写入速度快、不变性好、功耗低等利益,被业界认为是下一代存储技能的最佳办理方案之一。

三维集成技能通过芯片或器件在垂直偏向的堆叠,可以显著增加芯片集成度,是延续摩尔定律的一种重要技能。个中,一种交错堆叠(cross point)的三维存储布局被遍及应用于非易失存储器。

当前,三维新型非易失存储器的研究主要会合在器件和阵列层面。与传统的二维存储器差异,三维相变存储器回收了新型的双向阈值开关(Ovonic Threshold SwitchOTS)器件作为选通器件(selector)。按照OTS器件的物理特性和三维交错堆叠阵列布局的特点,三维交错堆叠型相变存储器回收一种V/2偏置要领以实现存储单位的操纵。但V/2偏置要领和OTS器件导致阵列中诸多未被选择的存储单位的泄电。泄电导致读出电路读取正确率和读出速度的下降。存储器在举办读操纵时,阵列中的寄生器件会低落读取速度。二维存储器中,这些器件主要会合在平面偏向;但在三维存储器中,垂直偏向的寄生器件会进一步低落读取速度。因此,对付影响三维存储器读操纵各因素的量化阐明和提高其速度的集成电路设计是须要的。

三维相变存储器的详细工程细节属贸易机要,可参考资料较少。中国科学院上海微系统与信息技能研究所雷宇等人首先设计了三维相变存储器的阵列焦点电路,再对三维相变存储器的读路径举办了阐明,最终总结了影响三维相变存储器读操纵的五种因素。这五种因素与三维存储器阵列参数的量化干系也被指出。以此为基本,论文提出了一种合用于三维存储器的单参考和寄生匹配读出电路。该电路回收变革参考电流,并对以上五种因素在读偏向和参考偏向举办了匹配。尝试功效表白,读出时间比传统要领缩短了79%,误读取个数下降了97%

论文提出的读出电路还可合用于其它三维交错堆叠型非易失存储器。并因读出电路与阵列的设计参数直接相关,相关设计人员可按照其存储器的容量,利便的设计出合用于差异容量存储器的、高机能的读出电路。

该论文在国际上首次归纳阐明白对三维交错堆叠型存储器读操纵有影响的五种因素,提出了第一种与三维新型非易失存储器阵列特性相关的读出电路,也是世界上首篇关于三维相变存储器读出设计的文章

中国科学院上海微系统与信息技能研究所信息成果质料国度重点尝试室是论文的第一单元,中国科学院大学是论文的第二单元。上海微系统所博士生雷宇为论文的第一作者,陈后鹏研究员为论文通讯作者,研究事情在宋志棠研究员的率领下展开。论文于201612月投出。该研究事情获得了中国科学院计谋性先导科技专项、国度集成电路重大专项、国度自然科学基金、上海市科委等支持。

      论文链接:   DOI: 10.1109/TCSII.2017.2729665


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